Шоттки диод, диод с барьером Шотки, Полупроводниковый диод, выполненный на основе контакта металл - полупроводник; назван в честь немецкого учёного В. Шотки, создавшего в 1938-39 основы теории таких диодов. При изготовлении Ш. д. на очищенную поверхность полупроводникового кристалла (Si, GaAs, реже Ge) наносят тонкий слой металла (Au, Al, Ag, Pt и др.) методами вакуумного испарения, катодного распыления (См. Катодное распыление) либо химического или электролитического осаждения. В Ш. д. (в приконтактной области полупроводника), как и в диодах с электронно-дырочным переходом (См. Электронно-дырочный переход) (в области этого перехода), возникает Потенциальный барьер (см. также Шотки барьер), изменение высоты которого под действием внешнего напряжения (смещения) приводит к изменению тока через прибор (см. рис. 2). Ток через контакт металл - полупроводник, в отличие от тока через электронно-дырочный переход, обусловлен только основными носителями заряда.

Отличительные особенности Ш. д. по сравнению с полупроводниковыми диодами др. типов: возможность получать требуемую высоту потенциального барьера посредством выбора соответствующего металла; значительная нелинейность вольтамперной характеристики при малых прямых смещениях; очень малая инерционность (до 10^―11 сек); низкий уровень ВЧ шумов; технологическая совместимость с интегральными схемами (См. Интегральная схема); простота изготовления. Ш. д. служат главным образом СВЧ-диодами различного назначения (детекторными, смесительными, лавинно-пролётными, параметрическими, импульсными, умножительными); кроме того, Ш. д. применяют в качестве приёмников излучения (См. Приёмники излучения), детекторов ядерного излучения (См. Детекторы ядерных излучений), Тензодатчиков, модуляторов света; их используют также в выпрямителях тока (См. Выпрямитель тока) ВЧ, солнечных батареях (См. Солнечная батарея) и т.д.

Лит. см. при ст. Полупроводниковый диод.

Ю. Р. Носов.

Рис. 2. Типичная вольтамперная характеристика полупроводникового диода с р - n-переходом: U - напряжение на диоде; I - ток через диод; U*_oбр и I*_oбр - максимальное допустимое обратное напряжение и соответствующий обратный ток; U_cт - напряжение стабилизации.

Структура детекторного Шотки диода: 1 - полупроводниковая подложка; 2 - эпитаксиальная плёнка; 3 - контакт металл - полупроводник; 4 - металлическая плёнка; 5 - внешний контакт.